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【概要描述】过压保护 晶闸管的过电压能力极差，当元件承受的反向电压超过其反向击穿电压时，即使时间很短，也会造成元件反向击穿损坏。如果正向电压超过晶闸管的正向转折电压，会引起晶闸管硬开通，它不仅使电路工作失常，且多次硬开通后元件正向转折电压要降低，甚至失去正向阻断能力而损坏。因此必须采用过电压保护措施用以抑制晶闸管上可能出现的过电压。模块的过压保护推荐采用阻容吸收和压敏电阻两种方式并用的保护措施。 (1)阻
【概要描述】过压保护 晶闸管的过电压能力极差，当元件承受的反向电压超过其反向击穿电压时，即使时间很短，也会造成元件反向击穿损坏。如果正向电压超过晶闸管的正向转折电压，会引起晶闸管硬开通，它不仅使电路工作失常，且多次硬开通后元件正向转折电压要降低，甚至失去正向阻断能力而损坏。因此必须采用过电压保护措施用以抑制晶闸管上可能出现的过电压。模块的过压保护推荐采用阻容吸收和压敏电阻两种方式并用的保护措施。 (1)阻
过压保护
晶闸管的过电压能力极差，当元件承受的反向电压超过其反向击穿电压时，即使时间很短，也会造成元件反向击穿损坏。如果正向电压超过晶闸管的正向转折电压，会引起晶闸管硬开通，它不仅使电路工作失常，且多次硬开通后元件正向转折电压要降低，甚至失去正向阻断能力而损坏。因此必须采用过电压保护措施用以抑制晶闸管上可能出现的过电压。模块的过压保护推荐采用阻容吸收和压敏电阻两种方式并用的保护措施。
(1)阻容吸收回路
晶闸管从导通到阻断时，和开关电路一样，因线路电感(主要是变压器漏感LB)释放能量会产生过电压。由于晶闸管在导通期间，载流子充满元件内部，所以元件在关断过程中，正向电压下降到零时，内部仍残存着载流子。这些积蓄的载流子在反向电压作用下瞬时出现较大的反向电流.使积蓄载流子迅速消失，这时反向电流消失的极快.即di/dt极大。因此即使和元件串连的线路电感L很小，电感产生的感应电势L (di/dt)值仍很大.这个电势与电源电压串联，反向加在已恢复阻断的元件上，可能导致晶闸管的反向击穿。这种由于晶闸管关断引起的过电压，称为关断过电压，其数值可达工作电压峰值的5-6倍，所以必须采取抑制措施。
阻容吸收电路中电容器把过电压的电磁能量变成静电能量存贮，电阻防止电容与电感产生谐振、限制晶闸管开通损耗与电流上升率。这种吸收回路能抑制晶闸管由导通到截止时产生的过电压，有效避免晶闸管被击穿。阻容吸收电路安装位置要尽量靠近模块主端子.即引线要短。最好采用无感电阻，以取得较好的保护效果。
接线方法如图：
三相整流模块 单相整流模块
三相交流模块 单相交流模块
(2)压敏电阻吸收过电压
压敏电阻能够吸收由于雷击等原因产生能量较大、持续时间较长的过电压。压敏电阻标称电压(V1mA)，是指压敏电阻流过1mA电流时它两端的电压。压敏电阻的选择，主要考虑额定电压和通流容量。额定电压V1mA的下限是线路工作电压峰值，考虑到电网电压的波动以及多次承受冲击电流以后V1mA值可能下降，因此，额定电压的取值应适当提高。目前通常采用30%的余量计算。
V1mA≥1.3√2·U
式中 U——压敏电阻两端正常工作电压的有效值。接线方法如图：
三相模块 单相模块
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