产品中心

　　产品特点

　　采用IGBT模块做逆变单元，IGBT相对于可控硅来讲，开关速度快，损耗低;

　　主回路采用串联谐振。为电压谐振，回路中电压高，电流小，铜损少;

　　电源输入端采用全桥不控整流，高次谐波小，对电网产生的污染和干扰少。

　　因此IGBT中频电源相对可控硅电源具有电源转换效率高，感应器发热量小，不污染电网，综合节电可达到10%-30%。

　　主要参数